简单VASP计算INCAR设置（结构优化OPT、静态自洽SCF、能带BAND、态密度DOS）

INCAR参数设置一、例一二、参数分组讲解1、启动设置参数1.1 `SYSTEM = OPT`1.2 `ISTART：是否读取旧波函数`1.3 `ICHARG：初始电荷密度来源及是否固定`主要可取值2、计算精度2.1 `ENCUT：平面波截断能`参数类型2.2 `PREC：FFT 网格和内部精度模式`可取值2.3 `LREAL：PAW 投影算符的处理空间`可取值2.4 `LASPH：PAW 球内非球形贡献`可取值2.5` ADDGRID：附加积分支持网格`可取值3. 电子自洽设置3.1 `ALGO：电子波函数迭代算法`基态和后处理常用取值3.2 `EDIFF：电子自洽停止阈值`常用取值3.3 `NELM：每个离子步的最大电子步数`3.4 `NELMIN：每个离子步的最少电子步数`4. 电子占据4.1 `ISPIN：是否进行自旋极化`可取值ISPIN = 1ISPIN = 24.2 `ISMEAR：电子占据和布里渊区积分方式`主要取值不同任务的快速选择4.3 `SIGMA：展宽宽度`5. 离子与晶胞优化5.1 `IBRION：离子更新、MD、声子或过渡态方法`主要合法取值IBRION = -1IBRION = 1IBRION = 2IBRION = 3IBRION = 5、6、7、85.2 `NSW：最大离子步数`5.3 `ISIF：应力和结构自由度`ISIF = 0～8 完整对照Selective dynamics 与 ISIFISIF ≥ 3 的精度要求5.4 `POTIM：结构步长、MD 时间步或声子位移`5.5 `EDIFFG：离子优化停止条件`常见负值6. 文件输出6.1 `LWAVE：是否输出波函数`6.2 `LCHARG：是否输出电荷密度`三、 根据体系选择基础 OPT 设置1 非磁性半导体或绝缘体三维体相2 明确的金属三维体相3 磁性材料4 表面或二维材料5 分子或团簇6 大超胞四、 同一体系连续计算时，哪些参数不能随意改？1 OPT → SCF → BAND → DOS 中应一致的物理模型2 可以随阶段改变的参数3 可以采用分层理论，但必须说明五、 计算前后检查清单计算前计算中计算结束后六、 例二一、例一下面这套基础模板默认计算对象是：新建计算，而不是从旧任务继续；常规三维周期性体相材料；非磁性体系；半导体或绝缘体；同时优化原子位置、晶胞形状和晶胞体积；使用普通的半局域密度泛函进行优化。如果研究的是金属、磁性材料、表面、二维材料、分子、缺陷、DFT+U、杂化泛函或强自旋轨道耦合体系，部分参数必须调整。# ==================== 启动设置 ==================== SYSTEM = OPT # 计算名称，便于区分材料和计算阶段 ISTART = 0 # 不读取旧WAVECAR，从头开始计算 ICHARG = 2 # 用各原子的初始电荷叠加生成起始电荷密度 # ==================== 计算精度 ==================== ENCUT = 500 # 平面波截断能；500只是示例，应根据POTCAR和收敛测试确定 PREC = Accurate # 使用较密的数值网格，适合正式结构优化 LREAL = .FALSE. # 使用精度较高的倒空间投影方式 LASPH = .TRUE. # 考虑PAW球内非球形电荷贡献，提高能量和受力精度 ADDGRID = .TRUE.